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公司最近有一款產(chǎn)品碰到DDR記憶晶片(芯片)虛焊的問題，實(shí)際派員到客戶端使用的地點(diǎn)檢修時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品開不了機(jī)，只要把DDR的IC按住就能開機(jī)，可是放開壓住的DDR后產(chǎn)品又開不了機(jī)。

產(chǎn)品明明都已經(jīng)在工廠100%做過測試，而且還有12H的燒機(jī) (B/I)程序，怎么依然還會(huì)有不良品流到客戶的手上，這到底是怎么一回事呢？

從這個(gè)問題描述看來，這應(yīng)該是典型的HIP（Head-In-Pillow，枕頭效應(yīng)）雙球虛焊問題，這類問題通常是由于IC晶片或PCB的FR4流經(jīng)Reflow(回流焊)的高溫區(qū)時(shí)發(fā)生彎曲變形，并且造成BGA的錫球(Ball)與PCB上印刷的錫膏熔融后無法接觸互相熔融在一起所致。

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)顯示，一般99%的HIP都發(fā)生在BGA的四周最外面一排的錫球上，原因也幾乎都是BGA載板或PCB電路板經(jīng)Reflow高溫時(shí)發(fā)生變形翹曲，等板子回溫后變形量縮小，但熔融的錫已經(jīng)冷卻凝固，于是形成雙球靠在一起的模樣。

 

HIP其實(shí)是一種嚴(yán)重的BGA焊錫不良，這類不良率雖然不高，但是因?yàn)樗苋菀淄ㄟ^工廠內(nèi)部的測試程序并流到客戶的手上，可是終端客戶使用一段時(shí)間后，產(chǎn)品就會(huì)因?yàn)槌霈F(xiàn)接觸不良的問題而被送回來修理，嚴(yán)重影響公司信譽(yù)與使用者的經(jīng)驗(yàn)。

可是明明產(chǎn)品都有執(zhí)行燒機(jī)(Burn/In)作業(yè)，產(chǎn)線也都100%經(jīng)過電測，為何還無法攔截到DDR虛焊的問題呢？

這其實(shí)是個(gè)很有趣的問題，以下只是深圳宏力捷個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)，不代表真實(shí)情況一定是這樣。

先試想HIP會(huì)在什么情況下顯現(xiàn)出開路(open)？大部分情形應(yīng)該都會(huì)發(fā)生在板子受熱開始變型的時(shí)候，也就是如果產(chǎn)品剛開機(jī)還處于冷卻的階段時(shí)，HIP的雙球有可能會(huì)表現(xiàn)出假接觸的狀態(tài)，于是正常開機(jī)沒有問題，當(dāng)產(chǎn)品開機(jī)一段時(shí)間后，產(chǎn)品開始變熱后漸漸地板材因?yàn)槭軣嵊珠_始發(fā)微量變形，于是顯現(xiàn)出開路現(xiàn)象。

所以造成電子組裝廠（EMS，Electronics Manufacturing Service）檢測不出DDR空焊的可能原因有：

1、產(chǎn)品燒機(jī)(B/I)的時(shí)候并沒有打開電源(power on) 作測試。有可能只是把產(chǎn)品放在一定的溫度，放置一定的時(shí)間而已，根本就沒有開電做B/I，這樣子當(dāng)然測不出問題，這個(gè)最常發(fā)生在只生產(chǎn)電路板組裝(PCBA)的工廠。

2、產(chǎn)品有插電并開啟電源作燒機(jī)(B/I)，但并沒有設(shè)計(jì)程式來跑DDR記憶體的測試。有些DDR虛焊的焊點(diǎn)有可能不會(huì)影響到產(chǎn)品的開機(jī)動(dòng)作，只有程式跑到某些記憶體位址時(shí)才會(huì)有問題。

3、假設(shè)產(chǎn)品燒機(jī)時(shí)有插電也有執(zhí)行DDR記憶體的測試，可是有些錯(cuò)誤現(xiàn)象只要重新開機(jī)就會(huì)不見，如果沒有在燒機(jī)的過程中隨時(shí)做紀(jì)錄，很有可能沒有辦法抓到這類 DDR的問題。所以，產(chǎn)品執(zhí)行燒機(jī)時(shí)最好要作自我檢測并記錄自己有沒有出現(xiàn)過錯(cuò)誤或當(dāng)過機(jī)，這樣才能確實(shí)知道燒機(jī)過程中有沒有真的燒出問題。

所以，如果不能在產(chǎn)品燒機(jī)溫度上升的時(shí)候剛好讓程式跑到虛焊的功能位置上，還真的不一定可以檢測到有HIP虛焊問題的DDR。

 

那有沒有辦法解決HIP的虛焊問題呢？

請參考下面的文章：

 如何解決BGA錫球的HIP(Head-In-Pillow)虛焊問題

增加錫膏量可以改善BGA焊接不良？

先偷偷透露一下，就算有方法可以解HIP也沒有辦法100%避免問題，所以不要抱持太大的希望。

下面是網(wǎng)友提供的方法，深圳宏力捷還沒實(shí)際執(zhí)行過，可以考慮在ICT或是FVT測試時(shí)用一整支未使用過的鉛筆，橡皮擦頭朝下，距器件約5cm，讓其自由下落衝擊目標(biāo)零件三次，來看看是否會(huì)發(fā)生測試不良。當(dāng)然測試必須有測試到這顆IC的情況下。